Suuritehokka

Esittely

Suuritehoiset transistorsaregenerallycalledpowerDevices, jotka ovat käyttäneet PowerSelektronicstechnology (Powerelektronicstochnology).ITSESSESSENCEEFCTIONES CONTROLTherAsiblePerationOfpowerelektroniikka-.

Yleisesti ottaminen, powerDevicesUSUborundUrkHighVoltageandHighcurrentConditions, jaGenerallyHaveTheCharacteristicsOfHighwithStandVolte, Suurtentyöntekijöiden virallinen jaPargeself-DissipationPower.ThereareceDifferencesInpowerDevices.

Luokittelu

PowerDevicesasAwholeNbebedIidedInTounControllebleDevices, Semi-ControllebledEvices jaControlleblebledEvices.

1.Hallitsemattomat laitteet

GuideonandOffCannotBeControlledByControlSignals, ITISCOMPLEYSEMETERMALDBYTHECURRENDVOLTAGECONDIONSSITBESSINTHECICUTUS.Mukaan lukien voimankäytöt.

2.Puolikontrollibledevice

ItreferstothEcontrolsignalCanbeUnedTocontrolitSturn-on, butcannotControlitSturn.Mukaan lukien THEthyristor (SCR) ja.

3.Täysin kontrollobledevices

ReferstodevicesthatcanbeturnEdonandoffusingControlSignals, mukaan lukien voimavarannesistorit (GTR), PowerfieldEffefftTransistors (PowerMosfet), Turnofftyristor (GTO), ErilaattGatebipolartransistor (igradGBT), static -intiandriandristor (static), static -intiandriand (staattinen), static -inthyristor (mctThyristor), staticommand (static), staticomm (static), staticomm (static)..

Täysin kontrollobledevicescanalsobedividedintotwocategories:currentcontroltypeandvoltagecontroltype.

ThecurrentControlTypeLents: GTR (Powertriode), SCR (ControllAbleThyristor), TRIAC (Controlleble Halluurectionalthyristor), GTO (TurnOfftransistor) Andväen.

TheVoltageControlTypeclubludes: PowerMosfet, IGBT, MctandSit.

Suorituskyvyn vertailu

1.Valikoima

Sovellettavuus (whethertechnicalRequirementsaremet), talous (kustannustehokkuus);

2.Operagfrequency Comparison

SIT>MOSFET(3-10MHz)>IGBT(50kHz)>SITH>GTR(30kHz)>MCT>GTO;

3.PowerCapecity Comparison

GTO(6000V/6000A)>SITH>MCT>IGBT(2500V/1000A)>GTR(1800V/400A)>SIT>powerMOSFET(1000V/100A);

4.Vertailu

PowerMOSFET>SIT>SITH>GTO>IGBT>GTR>MCT;

5.Vertailukonttori

VoltageControltyPecontrolisEaTerControlTancurrentControlType-, Butthesanormalt-konseptio- ja thecontrolismoredIfficulthanpowerMosfeTandigbtbtbbt.

DesignPrinciples OfBasedRivEciruit

GtrbasedriveciruitAndPerformanceDirectlyAfectTheworkingConditionsOfGtr, SothefollowingTWoPointSouldSouldSidedwhendesigningTheBasedRivEricuTuts: OptimizedDrivingModeandautomaticfastProtection.  

Theso-calledoptimaaldriveistocontroltheswitchingprocessOfthegTheidealbasedRivEcurrentWaveFormOrtionTocreasetheswitchingspeedDrecetheswitchingloss.IdealBasedRivEcurrentWaveForm.InordertoSpeeduptheturn-intimeandreduceturn-onloss, the forwardbasecurrentnotOnlyRequiresasteEpleadingEdgeintheInitialturn-operiod, butalSorequiresAcecertPerioDOFOverdrivecurrentib1.TheBasedRivEcurrEntib2IntHeturn-O-PhasesheskephegthegtrjustinthEquasi-tyydyttelyvaltaa.Keksintö, theValueOfoverdrivecurrentib1IselektivitTobeaBout3TimestHeValueOfquasi-tyydyttyneetBasedRivEcurrentib2.5S, ja leveyskäyttäjät.WhenthegTristornedoff, sitenvertainen.InpracticalSovellukset, useinChoosiIB3 = ib1orbigger.TämäKindofBasedRiveWaveformisGeneraLyRealizedByAnAccelerationCircuitAnABakerCLampCircuit.    

Adddition, thegtrdriveciruitShouldalsohaveaself-suojausfunction, sothatTheBasedRivesignalcanbequicklyandAuToMaticafactOffinafaultStatetoAvoidDamageToTheGtrtr.TermianyTypesOfProtectionCircuits, jotka valittiin.InorderToimproVetheswitchingspeed, ananti-SaturaationProtectionCircuitCanbeuse;.INDADDION, THEEREPULSEWIDTHIMILITECTICICUICUITSADPROTECTORCICUTSFOROVOLTOLTE, OIKEUDELLIN.

TermianyformsOfBasedRivEciruit jaThereThreeobViousTrendsInTheSummary:  

1.InordertoimproVetheworkingspeed, tyydyttämisen vastainenBakercLampcircuitSusedastheBasiccircuit;      

2.Jatkuvana  

3.Jatkuvasti.

Sovellukset

Usedtocontrolpoweroutput,high-frequencyhigh-powertransistorapplicationsinthescanningcircuitofelectronicequipment,suchascolorTV,monitors,oscilloscopes,horizontalscanningcircuitsoflargegamemachines,Videoamplifiercircuit,poweramplifieroftransmitter,suchasradiofrequencyoutputcircuitofwalkie-talkie,mobilephone,high-frequencyoscillationcircuitandhigh-speedelectronicswitchcircuit,etc.

Thehigh-powertubemustbeinstalledonametalradiatorbecauseitgeneratesalargeamountofheat,andtheareaof​​themetalradiatormustbelargeenough,otherwisethetechnicalperformancespecifiedinthetechnicaldocumentationwillnotbeachieved.