Úvod
Ztrátový výkon tranzistoru je také známý jako maximální přípustný ztrátový výkon PCM kolektoru, odkazuje na maximální proudový ztrátový výkon elektrody, když parametr tranzistoru nepřekračuje předem stanovenou přípustnou hodnotu . Ztrátový výkon úzce souvisí s nejvyšší povolenou hodnotou tranzistoru, aby byl úzký vztah mezi maximálním proudem a kolektorem. Teplota tonisu křemíkové trubice je přibližně 150 °C a povolená hodnota teploty přechodu rutheniové trubice je přibližně 85 °C. Aby se zajistilo, že teplota trubice nepřekročí povolenou hodnotu, musí být vytvořené teplo distribuováno. Když je tranzistor v provozu, jeho skutečná spotřeba energie nedovolí více než hodnotu PCM, jinak může dojít k poškození tranzistoru v důsledku přetížení.
Klasifikace / doplňkový výkon
Tranzistor disipativního výkonu PCM je menší než 1 W, typicky se označuje jako malý výkonový tranzistor, PCM rovný nebo větší než 1 W, tranzistor menší než 5 W se označuje jako střední výkon. Tranzistory, tranzistory rovné nebo větší než 5W, se označují jako vysokovýkonové tranzistory.
Princip / Editace existujícího výkonu
Je-li na emisní přechod tranzistoru aplikováno dopředné předpětí, je na kolektor aplikováno zpětné předpětí, takže tranzistor pracuje normálně, pak je napájecí zdroj v tranzistor. Celkový výkon rozptylu je: Při skutečném použití kolektor umožňuje výkon rozptylu a podmínky rozptylu tepla zvýšit chlazení nebo chlazení větrem a zvýšit PCM. Proto je třeba věnovat zvláštní pozornost hodnotě IC při použití a podmínky pro odvod tepla by měly být dobré.
Ztrátový výkon a tepelný odpor tranzistoru mají velký vztah. Tepelný odpor tranzistoru je základní parametr charakterizovaný schopností tranzistoru odvádět teplo, což je důležité zejména pro návrh, výrobu a použití vysokovýkonových tranzistorů. Takzvaný tepelný odpor je stupeň, v jakém jednotka disipační výkon způsobí zvýšení teploty přechodu, a její jednotkou je °C/W. Lze ji vyjádřit následujícím vzorcem:
tepelně vodivou cestou lze tepelný odpor obecného tranzistoru rozdělit na dvě části, a to:
je tepelný odpor tepelného toku z patice elektronky do okolního vzduchu nebo jiného média, je tepelný odpor tepelného toku z kolektoru do báze tranzistoru. Tepelný odpor a pouzdro tranzistoru mají velký vztah.
Tepelný odpor integrovaného obvodu a tepelný odpor tranzistoru jsou velké. Odvod tepla integrovaného obvodu (IC) má hlavně dva směry, jeden je přenášen z horního povrchu pouzdra do vzduchu a druhý je IC se přenáší na desku PCB a poté prochází do vzduchu. Když se IC zahřeje metodou přirozené konvekce, nahraná část je malá a většinu tvoří stahování na desku a podrobný režim odvodu tepla není vyčerpán drátěnými nohami nebo koulí na desce. stejný.
Zlepšení způsobu tepelného odporu obalu lze přenášet především třemi způsoby konstrukčního řešení, materiálových vlastností a externích zařízení odvádějících teplo. Je ovlivněno maximum nainstalovaného radiátoru, ale to zvýší výrobní náklady a složitost. .
Výpočet návrhu / Editor existujícího výkonu
Bipolární tranzistor
Celkový disipační výkon BJT je PC = IEVBE + ICVCB + ICRCS ≈icvcb), a PC souvisí s výstupním maximem Střídavý výkon PO: PO = (stejnosměrný výkon PD napájecího tranzistoru) - (ztrátový výkon tranzistoru PC) = [η / (1-η)] PCαPC, tj. výstupní střídavý výkon a tranzistor Ztrátový výkon je úměrný (η = PO / PD je účinnost konverze). Ztráta výkonu (spotřeby) tranzistoru se zahřívá, pokud se teplo nemůže časově rozdělit, zvýší se přechodová teplota Tj elektrolýzy na bázi sady, což omezí nárůst výstupního výkonu; nejvyšší teplota přechodu TJM (obecně 175oc Odpovídající ztrátový výkon je maximální ztrátový výkon PCM. Pro zvýšení PO je nutné zvýšit PC, ale zvýšení PC je omezeno zvýšením přechodu. aby teplota přechodu překročila TJM, je nutné snížit tepelný odpor tranzistoru, aby se snížil tepelný odpor RT; maximální ztrátový výkon PCMα1 / RT. Maximální ztrátový výkon odpovídající nejvyšší teplotě přechodu je (PCMS ≥ PCM): V ustáleném stavu PCM = (TJM-TA) / RT; přechodné, PCMS = (TJM-TA) / RTS.
Zlepšit PCM opatření, hlavně snížit tepelný odpor RT a snížit okolní teplotu Ta; současně se zvyšuje pulz a vysoká frekvence tranzistorů, zvyšuje se PC, rozšiřuje se bezpečnostní pracovní oblast a zvyšuje se maximální ztrátový výkon. Zlepšil se také velký výstupní výkon.
MOSFET
Maximální výstupní výkon je také omezen kapacitou odvodu tepla zařízení: PCM = (TJM-TA) / RT, nejvyšší přechod MOSFET TJM je stále nastaven na 175oC, horečka Střed je na povrchu kanálu v okolí a RT je hlavně tepelný odpor čipu (tepelný odpor vyžaduje metodu výpočtu charakteristické impedance přenosového vedení).
Diodový disipační výkon
Třípólový disipační výkon je znám také maximálním povoleným disipačním výkonem PCM, což znamená, že změna parametru triody nepřekročí maximální odběr proudu kolektoru, když je specifikována přípustná hodnota . Disperzní síla. Ztrátový výkon úzce souvisí s nejvyšší povolenou hodnotou tranzistoru, aby byl úzký vztah mezi maximálním proudem a kolektorem. Teplota tonisu křemíkové trubice je přibližně 150 °C a povolená hodnota teploty přechodu rutheniové trubice je přibližně 85 °C.
Aby se zajistilo, že trubková teplota nepřekročí přípustnou hodnotu, musí být vytvořené teplo distribuováno. Při použití tranzistoru jeho skutečná spotřeba energie nedovolí více než hodnotu PCM, jinak je tranzistor poškozen v důsledku přetížení.
Tranzistor se ztrátovým výkonem PCM je menší než 1 W se obvykle označuje jako malý výkonový tranzistor, PCM rovný nebo větší než 1 W, menší než 5 W se označuje jako tranzistor středního výkonu a tranzistor rovný nebo větší než 5w se nazývá tranzistor. Vysoce výkonný tranzistor.