Chipbasics
1. Úloha čipu:
ThechipisthemainrawmaterialoftheLED,andtheLEDmainlydependsonthechiptoemitlight.
2.Složení oplatky.
Zahrnuje hlavně hrubší senik (AS), hliník (AL), gallium (Ga), indium (IN), fosfor (P), dusík (N), stroncium (Sr) Některé z těchto prvků jsou složeny.
Tři. Klasifikace čipů
1.Podle světelného jasu:
A. Obecný jas: R, H, G, Y, E atd.
B. Vysoký jas:VG,VY,SR atd.
C. Ultravysoký jas: UG, UY, UR, UYS, URF, UE atd.
D.Neviditelné světlo (infračervené):IR,SIR,VIR,HIR
E. Infračervená přijímací trubice: PT
F.Fotoelektrická trubice:PD
2.Podle ustavujících prvků:
A. Binární destičky (fosfor, galium): H, G atd.
B. Ternární destičky (fosfor, gallium, arsen): SR, HR, UR atd.
C.Kvartérní destičky (fosfor,hliník,gallium,indium):SRF,HRF,URF,VY,HY,UY,UYS,UE,HE,UG atd.
Four.Chipcharacteristicstable(seethefollowingtablefordetails)
Vlnová délka světlo emitujících barevných prvků modelu čipu (nm) Vlnová délka barevných prvků emitujících světlo modelu čipu (nm)
SBIbluelnGaN/sic430HYsuperbrightyellowAlGalnP595
SBKbrighterbluelnGaN/sic468SEbrightorangeGaAsP/GaP610
DBKbrighterblueGaunN/Gan470HEsuperbrightorangeAlGalnP620
SGLcyanlnGaN/sic502UEbrightestorangeAlGalnP620
DGLbrightercyanLnGaN/GaN505URFbrightestredAlGalnP630
DGMbrightercyanlnGaN523EorangeGaAsP/GaP635
PGpuregreenGaP555RredGAaAsP655
SGStandardGreenGaP560SRBrighterRedGaA/AS660
GGreenGaP565HRSuperBrightRedGaAlAs660
VGBrighterGreenGaP565URBrightestRedGaAlAs660
UGmostBrightgreenAIGalnP574HighredGaP697
Žlutá GaAsP/GaP585HIRinfračervenáGaAlAs850
VYbrightyellowGaAsP/GaP585SIRinfraredGaAlAs880
UYSBrightestYellowAlGalnP587VIRIInfraredGaAlAs940
UYBrightestYellowAlGalnP595IRInfraredGaAs940
V. Bezpečnostní opatření a další
1.ChipManufacturerName:A.Guanglei(ED)B.Guolian(FPD)C.Dingyuan(TK)D.Huashang(AOC)
E.Hanguang(HL)F.AXTG.Guang
2.Payattentiontoelectrostaticprotectionduringtheproductionanduseofthechip.
VI.Struktura čipu
Singlechipstructureanddualchipstructureareshowninthefigure.
Sedm. Waferparametry
Vzhled oplatky
Theshapeofthewaferissquareorrectangular,withsingleordoubleelectrodesontheuppersurface,
Mostoftheredandyellowwafersaresingle-electrodewafers,andtheuppersurfacehaspositiveornegativeelectrodes.
Mostblue/greenwafersaredoubleelectrodes,andgenerallyroundelectrodesarepositiveelectrodes.PleaserefertothewaferforspecificelectrodeconditionsSpecification.
Velikost třísek
Chipsaredividedbysize,themorecommonlyusedonesarethefollowingspecifications
(1 mil = 25,4 µm)
Malá velikost
7*9mil
9*11mil
12*12mil
10*18mil
14*14mil
15*15mil
10*23 min
Velká velikost
24*24mil
28*28mil
40*40 mil
45*45mil
60*60mil
8.Hlavní fotoelektrické parametry čipu
9.Vyhodnocení waferů
1. Proces hodnocení:
Incominginspection==>Arrangetrialproduction==>Bondingtest==>Bondingwiretest==>Agingexperiment==>Badanalysis==>OK/NG
2.Položky kontroly zahrnují:
2.1.Whetherthereisaspecificationfortheincomingdata(thereisnospecificationItisnotrecommendedtoexperimentblindly);
2.2. Splňují parametry vstupního čipu (jas, napětí, vlnová délka atd.) specifikace?
Odpovídá vzhled (elektroda) specifikacím? Totéž v knize;
2.3.Měření velikosti: Je třeba použít přesný mikroskop s vysokým výkonem, abyste změřili, zda skutečná velikost splňuje požadavky; včetně délky, šířky, výšky, velikosti elektrody atd.
2.4.Elektrické testování: zda skutečné testy VF,IV,WL,IR,polarity atd. splňují požadavky.
Therearemanymanufacturersthatdonothaveconditionaltestsforthisitem.Itisrecommendedtomakeitintoaproducttestduringthetrialproductionprocess.
Producttest(butthepolarityisbesttobeconfirmedfirst);
3.Zkušební výroba
AfterthevisualinspectionisOK,starttheorderingexperimentandwhetherotherperformancesaresuitable
Bulkproduction,preparerelevantmaterialsandtrialproductionmaterialswhenordering
4.Položky hodnocení vazby:
a.PRRozpoznatelnost
b.tlak vzduchu
c.výška náprstku
p>d.Velikost trysek
e.Tlak svařovací hlavy
f. Lepivostchipfilm
g. Jak je to s produktivitou,
p>h.Thrust (post-pushphenomenon)
Pokud se vyskytne nějaký problém, musí být zaznamenán.
Položky hodnocení svařovacího drátu:
a.Tlak svařovacího drátu
b. Výkon
c. Čas
d.Bondingwirehotplattetemperature
e. Rozpoznatelnost
f.Archeight
g.Goldenballsize
h.Výrobní kapacita
i. Pullforce (pozice bodu přerušení)
Pokud se vyskytne nějaký problém, musí být zaznamenán.
Test stárnutí
a.Elektrická zkouška (včetně ESD);
b.Accordingtothereliabilityteststandard,takematerialsandpreparetodothefollowingexperiments:
p>Před experimentem je třeba produkt očíslovat, aby se otestovala výkonnost VF/IR/IV/WL a produkt musí odpovídat údajům),
Experiment 1: Světlo a teplota v místnosti (podmínka Ta=25±5℃,RH=55±20%RH,
20mA napájení po dobu 1000 hodin)
Experiment 2:Osvětlení na vysokou teplotu a vysokou vlhkost (podmínky Ta=85+5,-3℃,RH=85%+5,-10%,
20mA napájení po dobu 1000 hodin)
Experiment3: tepelný šok[podmínkaTa=85℃(30minut)～Ta=25℃(30minut)
～Ta=-40℃(30 minut)～Ta=85℃(30minut)]
Další experimenty lze vybrat podle vašich potřeb;
Testujte každých 100/168 hodin během experimentu;
Všechny vadné výrobky musí být analyzovány.